1月4日，由启迪设计集团规划设计的国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工建设。总建筑面积超20万平方米，总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划于2023年12月底竣工。

01  项目概括 

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地位于苏州纳米城东北角，毗邻金鸡湖大道和广贤街，用地面积86283.59 平方米，总建筑面积231422.57平方米，其中已建设建筑面积为89196.54平方米，本次新建建筑面积117226.03平方米，远期规划建筑面积25000平方米。

苏州纳米城位于江苏省苏州市市区东部工业园区内，属于长江三角洲经济区中心地带，是国家级经济技术开发区。苏州纳米科技城是全球最大的纳米技术应用产业综合社区，与苏州纳米技术国家大学科技园等形成了园区纳米技术产业的聚集区。纳米城总体规划由中心两块产业核心区向四周发散均匀扩展，地块最外边缘的体块将整个用地围合，形成一个类城市的空间结构，设计逻辑清晰，功能分区明确，道路系统完善。

02  产业定位 

苏州正在抢抓第三代等先进半导体产业的发展机遇，启迪设计始终聚焦国家重点发展产业，积极参与第三代等先进半导体相关领域前沿科技项目。项目策划定位为第三代等先进半导体产业标准化厂房及配套设施建设工程，拟修建第三代化合物半导体、 封装厂房、 传统封装或仓库等及配套的动力厂房、 化学品库、 废水处理站（地下）及相关配套设施。

03  规划设计 

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地地块条件较为特殊，与市政道路无交接界面，需要借用已建地块出入口与城市道路连通。且地块产业定位为第三代半导体设计和生产，这一类产业对防微震和洁净要求非常高，而地块东侧距离140 米处拟建设城际高铁线路，存在一定的不利因素；另一方面，半导体产业需要设置大量辅助用房，其中还包括危险品库房和氢气站等甲类库房，与普通厂房之间需要留足间距，以保障安全性。

规划设计以梳理不利因素为出发点，将必须要设置于地上的动力站、危化品库、大宗气站等辅助区规并整合，统一设置于地块东侧，并以道路间隔，尽可能减少高铁线路对生产厂房的震动影响；并且可以尽可能地保证厂房区范围更大更方整，同时与厂区之间的道路间隔实现了辅助区的单独管理。

04  建筑设计 

半导体生产要求较高空间，同时为了适应不同的生产需求，建筑内考虑不同层高的布置，1-2层为8.4米层高，主要适应第三代半导体生产，3-5层为7.6米层高，主要适应一些封装测试等项目，5层为6米，主要适应传统封装和仓库。每栋厂房内部中心为洁净区，四周设置客、货电梯疏散楼梯卫生间配套设备机房等等辅助区，洁净区四周设置走道，便于划分出租。建筑外立面采用白色涂料墙面、灰色线条、玻璃门窗和灰色金属网四种元素进行构成式设计，与纳米城其他建筑风格统一。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地是园区推动“一区两中心”建设的重大布局，建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、生产、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50到100家企业，有力支撑第三代半导体技术关键技术攻关和科技成果转化。